PN结原理

1.PN结原理–简介

PN结(PN junction)，其实就是由一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体构成的一块半导体晶体，中间二者相连的接触面称为PN结。PN结是电子技术中许多元件，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。

2.PN结原理–特性

PN结的单向导电性：若外加电压使电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大;反之是高阻性，电流小。

击穿性：二极管的PN结PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强，反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。

雪崩击穿：当阻挡层中的载流子漂移速度增大到一定程度时，会将共价键中的价电子碰撞出来。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，阻挡层宽，碰撞电离的机会较多，所以雪崩击穿的击穿电压高。

3.PN结原理

PN结的形成其实就是在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。

在形成PN结之后，由于N型半导体区内的电子数量多于空穴数量，而P型半导体区内的空穴数量多于电子数量，所以在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程如下：

最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。

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