无半导体的异质接面电晶体可望取代硅
美国密西根理工大学(Michigan Tech)透过结合石墨烯的高电子迁移率与氮化硼碳奈米管(BNNT)的绝缘层特性，期望开发出尺寸较矽(Si)更小且更具热效能的无半导体(semiconductor-less)异质接面电晶体，从而在国际半导体技术蓝图(ITRS)预期的2028年大限时接棒。 “我们对…
标签：半导体, 无光半导体
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