全球半导体支出缩减 三星、SK海力士反其道而行

    |     2015年8月23日   |   行业资讯   |     0 条评论   |    1652

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韩国存储器芯片业界将主导设备投资(CAPEX)竞争。在其他地区竞争业者担忧IT产品需求趋缓,而缩减设备投资规模时,三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)等韩国企业将反其道而行,扩大投资并推动微细制程尖端化等,致力于研发新技术,未来在竞争中将更具优势。

据韩国Newstomatoa报导,英特尔(Intel)决定将2015年设备投资规模,从87亿美元缩减11.5%至77亿美元;台积电设备投资规模也从120亿美元减少约8%至110亿美元。因IT装置等终端产业销售疲软,相关零组件需求减少,全球IT、系统芯片业者纷纷调降原定的设备投资规模。这也意味着下半年全球IT需求将钝化。

反观DRAM业者致力于扩大投资规模。上半年三星的投资额已达7.6兆韩元(约64亿美元),以年度为基准,总投资额可能超过15兆韩元。2014年三星半导体设备投资规模为14.3兆韩元。

SK海力士上半年投资3.7兆韩元,较2014年增加35%。年度投资规模估计为6兆韩元。DRAM业界三哥美光(Micron)的投资规模将维持2015年初计划,约40亿美元,2016年设备投资规模估计将近50亿美元。

DRAM业者扩大投资设备,将无法排除DRAM的供需失衡的可能性。目前以PC和伺服器DRAM为中心,DRAM价格正在下滑,若出现供货过剩的情况,将加速跌价。

韩厂计划透过确保微细制程加强竞争力。透过引进尖端微细制程,提升产品性能并节约成本,一箭双鵰。韩厂若能较其他竞争业者先一步引进尖端制程,即使面临供过于求的情况,也能维持较他厂稳定的营收和获利。

三星2014年在PC DRAM、移动DRAM、伺服器DRAM等应用20纳米制程,2015年成功量产20纳米图形DRAM,持续提升20纳米DRAM在整体DRAM产品的比重。

生产20纳米级DRAM的SK海力士,预计2016年初完成伺服器及移动装置用DDR4 DRAM研发,将扩大20纳米制程产能。

韩国业者表示,受到终端产业不振和供货过剩影响,DRAM市场成长趋缓。以目前的情况来看,韩厂为领先其他竞争业者,朝着透过尖端微细制程提升竞争力的方向努力。
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