中芯国际28nm工艺量产实现 技术差距在缩小

    |     2015年8月10日   |   行业资讯   |     0 条评论   |    2354

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中芯国际是中国大陆比较有实力的半导体代工企业,不过它在与台湾半导体代工厂和三星半导体制造厂的竞争中一直都处于不利的地位。2014年在全球前五大半导体代工厂中,中芯国际和GlobalFoundries是两家营收下滑的企业,而台积电、联电和三星的营收都是同比上升的,其中一个原因正是中芯国际的工艺远远落后于另外四家企业。现在,28nm工艺量产拉近了与全球第二大代工厂联电的差距,对中芯国际无疑是强心剂。

  2013年中芯国际就宣布开发28nm工艺。28nm工艺有两个方向,一个是高介电常数金属闸极(HKMG),一个是低功耗型的传统氮氧化硅(Sion),前一个技术难度要高很多。

  HKMG技术是进入到32/28nm才开始引入的,使用这种技术可以能大幅减小栅极的漏电量。由于high-k绝缘层的等效氧化物厚度(EOT:equivalent oxide thickness)较薄,这样晶体管就能得到进一步的缩小,而管子的驱动能力也能得到有效的改善,因此28nm HKMG技术被视为半导体制造工艺的一种革命性进步。实现了HKMG技术,再向20nm、16nm演进就容易了。

中芯国际28nm工艺量产实现 技术差距在缩小

  28nm的绝对优势

  中芯国际在28nm工艺制程上的快速进展得到了高通的帮助,去年中国发起了对高通的反垄断调查,为了换取大陆减轻处罚高通当时做出了一系列的让步,其中之一正是与中芯国际合作研发28nm工艺。

  目前中芯国际生产骁龙410正是采用28nm HKMG技术,这对中芯国际来说意义重大。

中芯国际28nm工艺量产实现 技术差距在缩小

  中芯国际近四年营业收入

  中芯国际此时量产28nm工艺其直接竞争对手就是联电,联电去年才量产28nm工艺,双方的技术差距迅速缩小。在40nm工艺上,联电于2009年就开始量产,而中芯国际到2013年才量产40nm,对比之下可见中芯国际技术进步之快速。

  中芯国际今年一季度的财报显示,其来自中国大陆市场的营收占比达到47%创下新高,可见大陆市场正成为中芯国际的重要增长点。现在中芯国际的工艺技术赶上联电,无疑可以有效减小联电争取今年底在厦门厂投产28nm工艺带来的威胁,为去年营收负增长的中芯国际打下一剂强心剂。

  高通已经答应了将骁龙410放在中芯国际用28nm工艺生产,其是台积电取得苹果的处理器订单之前的大客户,其将部分订单交给中芯国际将推动中芯国际今年获得好业绩。

  这几家半导体大厂之间的竞争不可谓是不激烈。
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