日本研制出电能损耗减半的下一代半导体

    |     2015年8月6日   |   行业资讯   |     0 条评论   |    2313

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↘原文地址: http://tech.comnews.cn/yxkf/2015-08-06/123342.html

据《日本经济新闻》2015年5月18日报道,日本松下电器研发出利用氮化镓制作的半导体,电能损耗较现有同类制品降低50%。计划于2016年实现量产。
目前,氮化镓做为半导体材料多被用于蓝光二级管(LED)。控制电压的半导体多用碳化硅制作。由于其优异的节电性能,氮化镓被称为替代碳化硅的“终极半导体材料”,世界各国正在加紧研制。
松下率先推出氮化镓半导体量产计划,期待以此改变其半导体事业连年赤字的被动局面。据称,目前已有10家日本国内外企业与之开展供货洽谈。(据:科技部)
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